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      如何區分場效應管與IGBT管?

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      如何區分場效應管與IGBT管?

      作者:黑金剛電容    發布時間:2023-09-25 21:11:27  訪問量:1103  來源:超級電容組


      如何區分場效應管與IGBT管?

      兩者是不同的管型,一般此類功率器件多數是并聯來提高工作電流,而串聯只能升高工作電壓,而要提高工作電壓可以選擇耐壓較大的管子,不必用管子來串聯提高,沒有必要!至于是否能加管子那要看電路的功率余量(電源、輸出、驅動)一般是不行的。單管IGBT屬于絕緣門極晶體管,第四代逆變技術。

      相對MOS管皮實耐用,MOS場效應管,屬于第三代逆變技術。多個MOS管串聯,其中一個炸管其他全炸。效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxidesemiconductorFET,簡稱MOS-FET)。

      黑金剛電容

      由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。




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